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首页 全部分类 STD1HN60K3 vs FQD1N60CTM

STD1HN60K3备选型号: FQD1N60CTM

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 阈值电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STD1HN60K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    2
    1.2A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    SuperMESH3™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    8Ohm
    STD1HN
    Single
    27W
    7 ns
    N-Channel
    8 Ω @ 600mA, 10V
    4.5V @ 50μA
    140pF @ 50V
    9.5nC @ 10V
    10ns
    ±30V
    31 ns
    1.2A
    30V
    600V
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FQD1N60CTM
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    5 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    1A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    QFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    11.5Ohm
    -
    Single
    2.5W
    7 ns
    N-Channel
    11.5 Ω @ 500mA, 10V
    4V @ 250μA
    170pF @ 25V
    6.2nC @ 10V
    21ns
    ±30V
    27 ns
    1A
    30V
    600V
    2.3mm
    6.6mm
    6.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    260.37mg
    SILICON
    2003
    e3
    yes
    2
    Tin (Sn)
    雪崩 额定
    600V
    鸥翼
    1A
    R-PSSO-G2
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    2V
    1A
    4A
    无SVHC
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STD1NK60T4 STD1NK60T4 STMicroelectronics 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R 对比