STD3N40K3备选型号: FDD3N50NZTM
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 质量
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 漏源电压 (Vdss)
- DS 击穿电压-最小值
- 高度
- 长度
- 宽度
- 无铅
- MOSFET N-Ch 400V 2.7 Ohm 2A SuperMESH3ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6332A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH3™活跃1 (Unlimited)EAR99STD3NSingle30W7 nsN-Channel3.4 Ω @ 900mA, 10V4.5V @ 50μA165pF @ 50V11nC @ 10V8ns±30V14 ns2A30V2A400V无ROHS3 Compliant------------------
- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.5A; 40W; DPAK; UniFET™ACTIVE (Last Updated: 5 hours ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6332.5A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)UniFET-II™活跃1 (Unlimited)EAR99-Single40W10 nsN-Channel2.5 Ω @ 1.25A, 10V5V @ 250μA280pF @ 25V8nC @ 10V15ns±25V17 ns2.5A25V--无ROHS3 Compliant260.37mgSILICON2009e3yes2Tin (Sn)鸥翼R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAINSWITCHING500V500V2.39mm6.73mm6.22mm无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQD4N50TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 500V 2.6A DPAK | 对比 |
![]() | FDD3N40TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |
![]() | STD3NK50ZT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 500V 2.3A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |





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