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首页 全部分类 STD46N6F7 vs IPD800N06NGBTMA1

STD46N6F7备选型号: IPD800N06NGBTMA1

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  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STD46N6F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 15A DPAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    15A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STD46
    N-Channel
    14m Ω @ 7.5A, 10V
    4V @ 250μA
    1065pF @ 30V
    17nC @ 10V
    60V
    ±20V
    15A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD800N06NGBTMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 16A 3-Pin(2 Tab) TO-252
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    16A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    N-Channel
    80m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 16μA
    370pF @ 30V
    10nC @ 10V
    60V
    ±20V
    16A
    符合RoHS标准
    -
    SILICON
    2006
    no
    2
    雪崩 额定
    SINGLE
    鸥翼
    4
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    47W
    DRAIN
    7 ns
    SWITCHING
    38ns
    27 ns
    TO-252AA
    20V
    0.08Ohm
    64A
    60V
    43 mJ
    无
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