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STD50N03L备选型号: IPD30N03S2L10ATMA1
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- 附加功能
- 端子位置
- Reach合规守则
- 配置
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级（Eas）
MOSFET POWER MOSFET表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON40A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIIe3Obsolete1 (Unlimited)2EAR9910.5MOhm哑光锡鸥翼26040STD50N3R-PSSO-G2不合格Single增强型MOSFET60WDRAINN-ChannelSWITCHING10.5m Ω @ 20A, 10V1V @ 250μA1434pF @ 25V14nC @ 5V125ns±20V45 ns40A20V30V160AROHS3 Compliant无铅-----------
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON30A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™e3活跃1 (Unlimited)2EAR99-Tin (Sn)鸥翼未说明未说明--R-PSSO-G2--增强型MOSFET-DRAINN-ChannelSWITCHING10m Ω @ 30A, 10V2V @ 50μA1200pF @ 25V42nC @ 10V21ns±20V10 ns30A20V-120AROHS3 Compliant含铅10 Weeks2006逻辑电平兼容SINGLEnot_compliantSINGLE WITH BUILT-IN DIODE7 ns无卤素30V0.0146Ohm150 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDD6296 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 30V 15A 3-Pin(2 Tab) TO-252AA T/R | 对比 |
 | DMN3010LK3-13 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 30V 43A TO252 | 对比 |
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