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STD6N95K5备选型号: STD5N95K3
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 端子表面处理
- 元素配置
- 高度
- 长度
- 宽度
Trans MOSFET N-CH 950V 9A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/RACTIVE (Last Updated: 7 months ago)17 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON9A Tc-55°C~150°C TJCut Tape (CT)SuperMESH5™e3活跃1 (Unlimited)2EAR991.25OhmSINGLE鸥翼26030STD6N3R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET90W12 nsN-ChannelSWITCHING1.25 Ω @ 3A, 10V5V @ 100μA450pF @ 100V13nC @ 10V12ns±30V21 ns9A4V30V9A950V90 mJ4 V无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------ Trans MOSFET N-CH 950V 4A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/RACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON4A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)SuperMESH3™e3活跃1 (Unlimited)2EAR993.5Ohm-鸥翼260-STD5N3R-PSSO-G2-增强型MOSFET90W17 nsN-ChannelSWITCHING3.5 Ω @ 2A, 10V5V @ 100μA460pF @ 25V19nC @ 10V7ns±30V18 ns4A4V30V4A950V--无SVHC无ROHS3 Compliant无铅Matte Tin (Sn) - annealedSingle2.4mm6.6mm6.2mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FQD2N100TM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK | 对比 |
| STD7NM80 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET, N CH, 800V, 6.5A, DPAK | 对比 |
| STD8N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N CH 800V 6A DPAK | 对比 |
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