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首页 全部分类 STD7N60M2 vs STD7NM60N

STD7N60M2备选型号: STD7NM60N

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  • 晶体管元件材料
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数量
  • STMicroelectronics
    STD7N60M2
    STMicroelectronics
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK
    16 Weeks
    Tin
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    5A Tc
    MDmesh™ II Plus
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    950mOhm
    鸥翼
    STD7
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    7.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    950m Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    271pF @ 100V
    8.8nC @ 10V
    7.2ns
    ±25V
    15.9 ns
    5A
    3V
    25V
    5A
    600V
    20A
    99 mJ
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD7NM60N
    STMicroelectronics
    MOSFET N-channel 600 V5 A 0.84 Ohm DPAK
    16 Weeks
    -
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    5A Tc
    MDmesh™ II
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    900mOhm
    鸥翼
    STD7
    R-PSSO-G2
    -
    Single
    增强型MOSFET
    45W
    -
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    900m Ω @ 2.5A, 10V
    4V @ 250μA
    363pF @ 50V
    14nC @ 10V
    10ns
    ±25V
    12 ns
    5A
    3V
    25V
    5A
    600V
    20A
    119 mJ
    2.4mm
    6.6mm
    6.2mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    3
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