STD8NF25备选型号: FDD7N25LZTM
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 已出版
- 无铅代码
- 元素配置
- JEDEC-95代码
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- Trans MOSFET N-CH 250V 8A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/RACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON8A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ IIe3活跃1 (Unlimited)2EAR99420MOhmMatte Tin (Sn) - annealedSINGLE鸥翼STD8NR-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET72WDRAIN13 nsN-ChannelSWITCHING420m Ω @ 8A, 10V4V @ 250μA500pF @ 25V16nC @ 10V10ns±20V6 ns8A20V8A250V无ROHS3 Compliant无铅---------
- MOSFET 250V N-Channel MOSFET, UniFETACTIVE (Last Updated: 23 hours ago)4 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON6.2A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)UniFET™e3活跃1 (Unlimited)2EAR99550MOhmTin (Sn)-鸥翼-R-PSSO-G2-增强型MOSFET56WDRAIN10 nsN-ChannelSWITCHING550m Ω @ 3.1A, 10V2V @ 250μA635pF @ 25V16nC @ 10V15ns±20V30 ns6.2A20V-250V无ROHS3 Compliant无铅260.37mg2017yesSingleTO-252AA25A2.39mm6.73mm6.22mm
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | FQD10N20LTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 200V N-Ch QFET Logic Level | 对比 |
![]() | FDD10N20LZTM | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET 200V N-Channel MOSFET, UniFET | 对比 |





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