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STD9N60M2备选型号: STD7N60M2
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- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- 终止次数
- 终端形式
- JESD-30代码
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 600V 0.72Ohm 5.5A MDMesh M2ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6325.5A Tc150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ II Plus活跃1 (Unlimited)EAR99780mOhmSTD9NSingle60W8.8 nsN-Channel780m Ω @ 3A, 10V4V @ 250μA320pF @ 100V10nC @ 10V7.5ns600V±25V13.5 ns5.5A25V650V2.4mm6.6mm6.2mm无ROHS3 Compliant无铅--------------- Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; DPAK-16 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-6335A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ II Plus活跃1 (Unlimited)EAR99950mOhmSTD7Single60W7.6 nsN-Channel950m Ω @ 2.5A, 10V4V @ 250μA271pF @ 100V8.8nC @ 10V7.2ns-±25V15.9 ns5A25V600V2.4mm6.6mm6.2mm无ROHS3 Compliant无铅TinSILICON2鸥翼R-PSSO-G21增强型MOSFETDRAINSWITCHING3V5A20A99 mJ无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STD9NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK | 对比 |
| STD8N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm MDmesh V 7A 710VDss | 对比 |
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