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首页 全部分类 STF18NM80 vs STP20NM60FP

STF18NM80备选型号: STP20NM60FP

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
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  • 引脚数量
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 电阻
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • STMicroelectronics
    STF18NM80
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STF18NM80 Power MOSFET, N Channel, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    17A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    SINGLE
    STF18
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    40W
    ISOLATED
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    295m Ω @ 8.5A, 10V
    5V @ 250μA
    2070pF @ 50V
    70nC @ 10V
    28ns
    ±30V
    50 ns
    17A
    4V
    TO-220AB
    30V
    0.295Ohm
    800V
    68A
    600 mJ
    16.4mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP20NM60FP
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
    16 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    SILICON
    20A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    -
    STP20N
    3
    -
    增强型MOSFET
    45W
    ISOLATED
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    290m Ω @ 10A, 10V
    5V @ 250μA
    1500pF @ 25V
    54nC @ 10V
    20ns
    ±30V
    11 ns
    20A
    4V
    TO-220AB
    30V
    -
    600V
    80A
    650 mJ
    9.3mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    290mOhm
    650V
    245
    20A
    30
    Single
  • 添加型号
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