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首页 全部分类 STF45N65M5 vs IPA65R099C6XKSA1

STF45N65M5备选型号: IPA65R099C6XKSA1

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  • 长度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
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  • 已出版
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  • 端子表面处理
  • 端子位置
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  • 配置
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 最大双电源电压
  • STMicroelectronics
    STF45N65M5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh V MOS
    17 Weeks
    Tin
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    35A Tc
    5V @ 250μA
    MDmesh™ V
    Tube
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    超低电阻
    STF45N
    Single
    增强型MOSFET
    40W
    ISOLATED
    79.5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    78m Ω @ 19.5A, 10V
    3375pF @ 100V
    91nC @ 10V
    ±25V
    35A
    TO-220AB
    25V
    0.078Ohm
    650V
    140A
    810 mJ
    16.4mm
    4.6mm
    10.4mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA65R099C6XKSA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 650V 38A TO220
    12 Weeks
    -
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    通孔
    3
    SILICON
    38A Tc
    3.5V @ 1.2mA
    CoolMOS™
    Tube
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    35W
    ISOLATED
    10.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    99m Ω @ 12.8A, 10V
    2780pF @ 100V
    127nC @ 10V
    ±20V
    38A
    TO-220AB
    20V
    0.099Ohm
    -
    -
    845 mJ
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    -
    无铅
    2008
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    9ns
    6 ns
    650V
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