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STFI6N62K3备选型号: STB6NK60Z-1
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- 元素配置
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- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 引脚数量
- 操作模式
- 晶体管应用
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 无铅
MOSFET N-Ch 620 V 0.95 Ohm 5.5 A SuperMESH通孔通孔TO-262-3 Full Pack, I2Pak35.5A Tc150°C TJTubeSuperMESH3™Obsolete1 (Unlimited)EAR99STFI6NSingle30W22 nsN-Channel1.2 Ω @ 2.8A, 10V4.5V @ 50μA875pF @ 50V34nC @ 10V12ns±30V20 ns5.5A30V620V无ROHS3 Compliant-------------
MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA36A Tc-55°C~150°C TJTubeSuperMESH™不用于新设计1 (Unlimited)EAR99STB6NSingle110W14 nsN-Channel1.2 Ω @ 3A, 10V4.5V @ 100μA905pF @ 25V46nC @ 10V14ns-19 ns6A30V600V无ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 8 months ago)SILICONe331.2OhmTin (Sn)3增强型MOSFETSWITCHING6A24A210 mJ无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STI6N62K3 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK | 对比 |
| STFI8N80K5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Full Pack, I2Pak | MOSFET N-CH 800V 0.8Ohm typ 6A Zener-protected | 对比 |
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