STFI9N80K5备选型号: FQI7N60TU

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  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 操作温度
  • 包装
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  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
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  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 800V 7A I2PAKFP
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Full Pack, I2Pak
    7A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™
    Obsolete
    不适用
    EAR99
    未说明
    未说明
    STFI9
    N-Channel
    900m Ω @ 3.5A, 10V
    5V @ 100μA
    340pF @ 100V
    12nC @ 10V
    800V
    ±30V
    7A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
    通孔
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    7.4A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    QFET®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    1 Ω @ 3.7A, 10V
    5V @ 250μA
    1430pF @ 25V
    38nC @ 10V
    -
    ±30V
    7.4A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    5 Weeks
    2.084g
    SILICON
    2014
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    600V
    not_compliant
    7.4A
    R-PSIP-T3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    3.13W
    30 ns
    SWITCHING
    80ns
    60 ns
    30V
    1Ohm
    600V
    29.6A
    580 mJ
    无铅
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