STGP20H60DF备选型号: IKP15N65H5XKSA1
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- 工厂交货时间
- 生命周期状态
- 包装/外壳
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- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 输入类型
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 栅极-发射极电压-最大值
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 引脚数
- 质量
- 系列
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 功率 - 最大
- 无卤素
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- IGBT 600V 40A 167W TO22020 WeeksACTIVE (Last Updated: 7 months ago)TO-220-3通孔通孔600V2VTube-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)EAR99167WSTGP20Single167WStandardN-CHANNEL600V40A90 ns2V @ 15V, 20A沟渠现场停车115nC80A42.5ns/177ns209μJ (on), 261μJ (off)20VROHS3 Compliant无无铅---------------
- Trans IGBT Chip N-CH 650V 30A 3-Pin TO-220 Tube16 Weeks-TO-220-3通孔通孔650V1.65VTube-40°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)EAR99105W-Single-Standard-1.65V30A48 ns2.1V @ 15V, 15A-38nC45A17ns/160ns120μJ (on), 50μJ (off)-ROHS3 Compliant-无铅36.000006gTrenchStop®2008e3yesTin (Sn)未说明未说明105W无卤素15.95mm10.36mm4.57mmUnknown
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGP20V60DF | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 40A 167W TO220AB | 对比 |
![]() | STGP19NC60HD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | STMICROELECTRONICS STGP19NC60HD IGBT Single Transistor, 40 A, 2.5 V, 130 W, 600 V, TO-220, 3 Pins | 对比 |
![]() | STGP19NC60SD | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-220-3 | IGBT 600V 40A 130W TO220 | 对比 |




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