STGWA15S120DF3备选型号: STGW15M120DF3
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 操作温度
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 输入类型
- 功率 - 最大
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 反向恢复时间
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
- IGBT类型
- 闸门收费
- 集极脉冲电流(Icm)
- Td(开/关)@25°C
- 开关能量
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 引脚数
- 质量
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 元素配置
- STMICROELECTRONICS STGWA15S120DF3 IGBT, SINGLE, 1.2KV, 30A, TO-247-3ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)32 Weeks通孔通孔TO-247-31.2kV-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99259W未说明未说明STGWA15Standard259W2.05V30A270 ns1200V2.05V @ 15V, 15A沟渠现场停车53nC60A23ns/140ns540μJ (on), 1.38mJ (off)无SVHCROHS3 Compliant----
- STMICROELECTRONICS STGW15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 PinsACTIVE (Last Updated: 8 months ago)30 Weeks通孔通孔TO-247-31.2kV-55°C~175°C TJTube活跃1 (Unlimited)EAR99259W未说明未说明STGW15Standard259W1.2kV30A270 ns1200V2.3V @ 15V, 15A沟渠现场停车226nC60A26ns/122ns550μJ (on), 850μJ (off)无SVHCROHS3 Compliant338.000013g1.85VSingle
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STGW15S120DF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGW15S120DF3 IGBT, SINGLE, 1.2KV, 30A, TO-247-3 | 对比 |
![]() | IRG4PH40KDPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | IGBT 1200V 30A 160W TO247AC | 对比 |
![]() | STGWA15M120DF3 | STMicroelectronics | 晶体管 - IGBT - 单个 | TO-247-3 | STMICROELECTRONICS STGWA15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins | 对比 |





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