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首页 全部分类 STH260N6F6-2 vs IRLS3036PBF

STH260N6F6-2备选型号: IRLS3036PBF

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  • 场效应管类型
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  • 阈值电压
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  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
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  • 终端
  • 端子表面处理
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  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 栅源电压
  • STMicroelectronics
    STH260N6F6-2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    4
    SILICON
    180A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    2MOhm
    SINGLE
    鸥翼
    STH260
    2
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    300W
    31.4 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    11800pF @ 25V
    183nC @ 10V
    165ns
    60V
    ±20V
    62.6 ns
    180A
    2V
    20V
    75V
    720A
    4.8mm
    15.8mm
    10.4mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLS3036PBF
    Infineon Technologies
    Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 60V; 270A; 380W; D2PAK
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    195A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    HEXFET®
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    2.4MOhm
    -
    鸥翼
    -
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    380W
    66 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.4m Ω @ 165A, 10V
    2.5V @ 250μA
    11210pF @ 50V
    140nC @ 4.5V
    220ns
    -
    ±16V
    110 ns
    270A
    2.5V
    16V
    60V
    -
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2008
    e3
    SMD/SMT
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    260
    30
    Single
    DRAIN
    60V
    290 mJ
    2.5 V
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