STH3N150-2备选型号: IRF4104SPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 制造商包装标识符
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 已出版
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 恢复时间
- 无铅
- MOSFET N-CH 1500V 2.5A H2PAK-2ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)23 WeeksTin表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab) Variant3SILICONH2PAK-2-81597122.5A Tc150°C TJCut Tape (CT)PowerMESH™e3活跃1 (Unlimited)2EAR99鸥翼STH3NR-PSSO-G21Single增强型MOSFET140WDRAIN24 nsN-ChannelSWITCHING9 Ω @ 1.3A, 10V5V @ 250μA939pF @ 25V29.3nC @ 10V47ns1500V±30V61 ns2.5A4V30V9Ohm1.5kV450 mJ150°C5mm10.4mm15.8mm无SVHC无ROHS3 Compliant-----------
- MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK-15 Weeks-表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB3SILICON-75A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®e3不用于新设计1 (Unlimited)2EAR99鸥翼-R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET140WDRAIN16 nsN-ChannelSWITCHING5.5m Ω @ 75A, 10V4V @ 250μA3000pF @ 25V100nC @ 10V130ns-±20V77 ns75A4V20V-40V220 mJ-4.83mm10.67mm9.65mm无SVHC无ROHS3 Compliant20045.5MOhmMatte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrierAVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE75V26075A30470A35 ns无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
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