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STI300N4F6备选型号: AUIRFSL8407
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- 终止次数
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- 引脚数量
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- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
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- 已出版
- 通道数量
- 功率耗散
- 栅源电压
- 达到SVHC
MOSFET N CH 40V 160A I2PAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)20 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3SILICON160A Tc-55°C~175°C TJTubeDeepGATE™, STripFET™ VI活跃1 (Unlimited)3EAR99STI300N3Single增强型MOSFETDRAIN28 nsN-ChannelSWITCHING2.2m Ω @ 80A, 10V4V @ 250μA13800pF @ 25V240nC @ 10V98ns±20V95 ns160A20V0.002Ohm40V640A9.35mm10.4mm4.6mm无ROHS3 Compliant无铅-----
MOSFET N-CH 40V 195A TO262-16 Weeks通孔通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3-195A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®活跃1 (Unlimited)-EAR99--Single--19 nsN-Channel-2m Ω @ 100A, 10V4V @ 150μA7330pF @ 25V225nC @ 10V70ns±20V53 ns195A20V-40V-9.65mm10.67mm4.83mm无ROHS3 Compliant无铅20101230W3 V无SVHC- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPI120N04S402AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1 | 对比 |
| IPI120N04S401AKSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3 Tab) TO-262 | 对比 |
| STI400N4F6 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | 对比 |
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