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首页 全部分类 STK38N3LLH5 vs BSZ100N03MSGATMA1

STK38N3LLH5备选型号: BSZ100N03MSGATMA1

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  • 漏源击穿电压
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  • RoHS状态
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  • 触点镀层
  • 已出版
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 最大双电源电压
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STK38N3LLH5
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STK38N3LLH5 MOSFET Transistor, N Channel, 19 A, 30 V, 1.3 mohm, 10 V, 2.5 V
    表面贴装
    表面贴装
    PolarPak®
    10
    SILICON
    38A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ V
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    10
    EAR99
    哑光锡
    DUAL
    无铅
    STK38
    10
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    5.2W
    SOURCE
    N-Channel
    SWITCHING
    1.55m Ω @ 19A, 10V
    2.5V @ 250μA
    4640pF @ 25V
    41.7nC @ 4.5V
    ±22V
    38A
    2.5V
    22V
    0.0026Ohm
    30V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    BSZ100N03MSGATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin TSDSON
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    SILICON
    10A Ta 40A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    OptiMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    5
    EAR99
    -
    DUAL
    无铅
    -
    8
    不合格
    -
    增强型MOSFET
    2.1W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    9.1m Ω @ 20A, 10V
    2V @ 250μA
    1700pF @ 15V
    23nC @ 10V
    ±20V
    40A
    2V
    16V
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    18 Weeks
    Tin
    2005
    no
    未说明
    not_compliant
    未说明
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    2.8ns
    30V
    含铅
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