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STL12N60M2备选型号: IPD60R600C6ATMA1

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STL12N60M2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    6.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    MDmesh™ M2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STL12
    N-Channel
    495m Ω @ 4.5A, 10V
    4V @ 250μA
    538pF @ 100V
    16nC @ 10V
    600V
    ±25V
    6.5A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD60R600C6ATMA1
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    7.3A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ C6
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    -
    未说明
    未说明
    -
    N-Channel
    600m Ω @ 2.4A, 10V
    3.5V @ 200μA
    440pF @ 100V
    20.5nC @ 10V
    -
    ±20V
    7.3A
    ROHS3 Compliant
    3.949996g
    SILICON
    2008
    e3
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    鸥翼
    not_compliant
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    63W
    DRAIN
    12 ns
    SWITCHING
    9ns
    13 ns
    20V
    600V
    0.6Ohm
    无铅
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