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首页 全部分类 STL12N65M5 vs IPD65R380E6ATMA1

STL12N65M5备选型号: IPD65R380E6ATMA1

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  • 场效应管类型
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  • 已出版
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
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  • 接通延迟时间
  • JEDEC-95代码
  • 最大双电源电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STL12N65M5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 8.5A 8POWERFLAT
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    SILICON
    8.5A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ V
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    4
    EAR99
    SINGLE
    STL12
    4
    S-PSSO-N4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    48W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    530m Ω @ 4.25A, 10V
    5V @ 250μA
    644pF @ 100V
    17nC @ 10V
    10ns
    ±25V
    13.5 ns
    8.5A
    25V
    0.43Ohm
    650V
    7.2A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPD65R380E6ATMA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 700V 10.6A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    SILICON
    10.6A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    CoolMOS™ E6
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    SINGLE
    -
    -
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    380m Ω @ 3.2A, 10V
    3.5V @ 320μA
    710pF @ 100V
    39nC @ 10V
    7ns
    ±20V
    8 ns
    10.6A
    20V
    -
    -
    29A
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    12 Weeks
    2008
    e3
    Tin (Sn)
    8541.29.00.95
    鸥翼
    未说明
    not_compliant
    未说明
    10 ns
    TO-252AA
    650V
    215 mJ
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