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首页 全部分类 STL13DP10F6 vs STD10P10F6

STL13DP10F6备选型号: STD10P10F6

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  • 基本部件号
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • STMicroelectronics
    STL13DP10F6
    STMicroelectronics
    MOSFET 2P-CH 100V 13A PWRFLAT56
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    EAR99
    62.5W
    未说明
    未说明
    STL13
    62.5W
    2 P-Channel (Dual)
    180m Ω @ 1.7A, 10V
    4V @ 250μA
    864pF @ 25V
    16.5nC @ 10V
    100V
    13A
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STD10P10F6
    STMicroelectronics
    MOSFET P-CH 100V 10A
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    STripFET™ F6
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    未说明
    未说明
    STD10
    -
    P-Channel
    180m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    864pF @ 80V
    16.5nC @ 10V
    100V
    10A
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SILICON
    10A Tc
    2
    SINGLE
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    ±20V
    0.18Ohm
    40A
    100V
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