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首页 全部分类 STL140N6F7 vs IRFS7537TRLPBF

STL140N6F7备选型号: IRFS7537TRLPBF

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  • 连续放电电流(ID)
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    STL140N6F7
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 145A 8PWRFLAT
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    22 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    145A Tc
    175°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STL140
    N-Channel
    2.5m Ω @ 16A, 10V
    4V @ 1mA
    2700pF @ 25V
    40nC @ 10V
    60V
    ±20V
    145A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFS7537TRLPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N CH 60V 173A D2PAK
    -
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    173A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®, StrongIRFET™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    260
    30
    -
    N-Channel
    3.3m Ω @ 100A, 10V
    3.7V @ 150μA
    7020pF @ 25V
    210nC @ 10V
    60V
    ±20V
    173A
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    3.949996g
    SILICON
    2013
    e3
    2
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    1
    Single
    增强型MOSFET
    230W
    DRAIN
    15 ns
    SWITCHING
    105ns
    84 ns
    20V
    700A
    60V
    554 mJ
    4.83mm
    10.67mm
    9.65mm
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