STL15N65M5备选型号: STB15N65M5
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- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- Trans MOSFET N-CH 650V 10A 8-Pin Power Flat EP T/RACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN810A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ V活跃1 (Unlimited)EAR99375mOhmSTL15Single52W30 nsN-Channel375m Ω @ 5A, 10V5V @ 250μA816pF @ 100V22nC @ 10V8ns±25V12.5 ns10A25V650V1mm5.4mm6.35mm无ROHS3 Compliant无铅------------
- MOSFET N-CH 650V 11A D2PAKACTIVE (Last Updated: 7 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB311A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ V活跃1 (Unlimited)EAR99340MOhmSTB15NSingle85W30 nsN-Channel340m Ω @ 5.5A, 10V5V @ 250μA810pF @ 100V22nC @ 10V-±25V-11A25V650V4.6mm10.4mm9.35mm无ROHS3 Compliant无铅SILICONe32Matte Tin (Sn) - annealed鸥翼24530R-PSSO-G2增强型MOSFETDRAINSWITCHING44A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IPD65R380C6BTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3 | 对比 |
![]() | STB14NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R | 对比 |
![]() | STL17N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET POWER MOSFET | 对比 |







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