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STL18N65M5备选型号: STD18N65M5
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
MOSFET N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON15A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ V活跃1 (Unlimited)5EAR99240mOhmDUALFLATSTL18R-PDSO-F52Single增强型MOSFET57WDRAIN36 nsN-ChannelSWITCHING240m Ω @ 7.5A, 10V5V @ 250μA1240pF @ 100V31nC @ 10V7ns±25V11 ns15A25V650V60A1mm5.4mm6.35mm无ROHS3 Compliant无铅---
MOSFET N-CH 650V 15A DPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON15A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ V活跃1 (Unlimited)2EAR99220mOhm-鸥翼STD18R-PSSO-G2-Single增强型MOSFET110WDRAIN36 nsN-ChannelSWITCHING220m Ω @ 7.5A, 10V5V @ 250μA1240pF @ 100V31nC @ 10V7ns±25V9 ns15A25V650V60A2.4mm6.6mm6.2mm无ROHS3 Compliant无铅Tine3260- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD65R225C7ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 700V 11A 3-Pin(2 Tab) TO-252 T/R | 对比 |
 | STB20N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK | 对比 |
 | STL19N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT | 对比 |
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