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STL19N65M5备选型号: STD18N65M5
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 系列
- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- JESD-30代码
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 元素配置
- 功率耗散
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 650V 12.5A POWERFLAT12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON2.3A Ta 12.5A Tc150°C TJMDmesh™ VTape & Reel (TR)活跃3 (168 Hours)4EAR99215mOhmSINGLE无铅未说明未说明STL19S-PSSO-N4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFETDRAIN36 nsN-ChannelSWITCHING240m Ω @ 7.5A, 10V5V @ 250μA1240pF @ 100V31nC @ 10V7ns650V±25V9 ns12.5A25V2.3A710V50AROHS3 Compliant无铅---------
MOSFET N-CH 650V 15A DPAK17 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON15A Tc150°C TJMDmesh™ VTape & Reel (TR)活跃1 (Unlimited)2EAR99220mOhm-鸥翼260-STD18R-PSSO-G2--增强型MOSFETDRAIN36 nsN-ChannelSWITCHING220m Ω @ 7.5A, 10V5V @ 250μA1240pF @ 100V31nC @ 10V7ns-±25V9 ns15A25V-650V60AROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)Tine3Single110W2.4mm6.6mm6.2mm无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPD65R250E6XTMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 700V 16.1A 3-Pin(2 Tab) TO-252 | 对比 |
 | STL18N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 650V 0.215Ohm 15A MDmesh M5 | 对比 |
 | STB18N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 15A D2PAK | 对比 |
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