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STL21N65M5备选型号: STP13N65M2

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • STMicroelectronics
    STL21N65M5
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88
    NRND (Last Updated: 8 months ago)
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    4
    SILICON
    17A Tc
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    MDmesh™ V
    e3
    活跃
    3 (168 Hours)
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - annealed
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    DUAL
    260
    STL21
    8
    S-PDSO-N5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    179m Ω @ 8.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1950pF @ 100V
    50nC @ 10V
    10ns
    ±25V
    12 ns
    17A
    25V
    2.7A
    650V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP13N65M2
    STMicroelectronics
    N-Channel 650 V 430 mOhm Flange Mount MDmesh M2 Powr Mosfet -TO-220
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    16 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-220-3
    3
    -
    10A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ M2
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    -
    -
    -
    未说明
    STP13N
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    430m Ω @ 5A, 10V
    4V @ 250μA
    590pF @ 100V
    17nC @ 10V
    -
    ±25V
    -
    10A
    25V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    未说明
    Single
    11 ns
    650V
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
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