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STL31N65M5备选型号: STB21N65M5
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- 峰值回流焊温度（摄氏度）
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- 基本部件号
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 晶体管元件材料
- JESD-609代码
- 终止次数
- 电阻
- 终端形式
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 晶体管应用
- 阈值电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
MOSFET N-CH 650V 15A POWERFLATACTIVE (Last Updated: 8 months ago)12 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerVDFN82.8A Ta 15A Tc150°C TJTape & Reel (TR)MDmesh™ V活跃3 (168 Hours)EAR99未说明未说明STL3112.8W46 nsN-Channel162m Ω @ 11A, 10V5V @ 250μA1865pF @ 100V45nC @ 10V8ns650V±25V8.5 ns15A25V710VROHS3 Compliant无铅--------------------
MOSFET POWER MOSFET N-CH 650VACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks表面贴装表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB31150°C TJCut Tape (CT)MDmesh™ V活跃1 (Unlimited)EAR9924530STB21N-125W-N-Channel190m Ω @ 8.5A, 10V5V @ 250μA1950pF @ 100V50nC @ 10V10ns-±25V12 ns17A25V650VROHS3 Compliant无铅TinSILICONe32150Ohm鸥翼4R-PSSO-G2Single增强型MOSFETSWITCHING4V68A400 mJ4 V4.6mm10.75mm10.4mm无SVHC无- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IPB65R125C7ATMA2 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH TO263-3 | 对比 |
 | STB20N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK | 对比 |
| STL21N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 650V 17A POWERFLAT88 | 对比 |
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