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首页 全部分类 STL4P3LLH6 vs DMP3050LVT-7

STL4P3LLH6备选型号: DMP3050LVT-7

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  • RoHS状态
  • 晶体管元件材料
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  • 终端形式
  • 参考标准
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STL4P3LLH6
    STMicroelectronics
    MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerWDFN
    6
    4A Ta
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ H6
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STL4
    Single
    P-Channel
    56m Ω @ 2A, 10V
    2.5V @ 250μA
    639pF @ 25V
    6nC @ 4.5V
    30V
    ±20V
    4A
    4A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMP3050LVT-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET P CH 30V 4.5A TSOT26
    -
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    4.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    260
    40
    -
    -
    P-Channel
    50m Ω @ 4.5A, 10V
    2V @ 250μA
    620pF @ 15V
    10.5nC @ 10V
    30V
    ±25V
    4.5A
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    2012
    e3
    yes
    6
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    鸥翼
    AEC-Q101
    Single
    增强型MOSFET
    6.8 ns
    SWITCHING
    4.9ns
    12.4 ns
    25V
    0.05Ohm
    -30V
    无SVHC
    无铅
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