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STL50NH3LL备选型号: IPD30N03S4L14ATMA1
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- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 已出版
- Reach合规守则
- 参考标准
- 接通延迟时间
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
MOSFET N-Ch 30 Volt 27 Amp表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON27A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)STripFET™e3Obsolete1 (Unlimited)5EAR9913mOhmMatte Tin (Sn) - annealed低阈值30VDUAL无铅26027A30STL508R-XDSO-N5不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET60WDRAINN-ChannelSWITCHING13m Ω @ 6.5A, 10V1V @ 250μA965pF @ 25V12nC @ 4.5V32ns±16V8.5 ns27A16V13A30V150 mJROHS3 Compliant无铅--------
Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2 Tab) TO-252表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633SILICON30A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)OptiMOS™e3活跃1 (Unlimited)2EAR99-Tin (Sn)超低电阻-SINGLE鸥翼未说明-未说明--R-PSSO-G2-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-DRAINN-Channel-13.6m Ω @ 30A, 10V2.2V @ 10μA980pF @ 25V14nC @ 10V2ns±16V-30A16V--16 mJROHS3 Compliant含铅12 Weeks2003not_compliantAEC-Q1013 ns无卤素30V120A- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFH3707TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | INFINEON IRFH3707TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 30 V, 0.0094 ohm, 10 V, 1.8 VNew | 对比 |
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