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STL60N3LLH5备选型号: IRLR7821PBF
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- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 端子位置
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 双电源电压
- 栅源电压
MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT表面贴装表面贴装8-PowerVDFN8SILICON60A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)STripFET™ Ve3Obsolete1 (Unlimited)5EAR997.1MOhmMatte Tin (Sn) - annealedDUALSTL608R-PDSO-N5Single增强型MOSFET60WDRAIN8.6 nsN-ChannelSWITCHING7.1m Ω @ 8.5A, 10V1V @ 250μA1290pF @ 25V8nC @ 4.5V11.2ns±22V6 ns60A1V22V30V810μm5mm6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-----
MOSFET N-CH 30V 65A DPAK表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-633-65A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®-Discontinued1 (Unlimited)-EAR9910MOhm-----Single-75W-11 nsN-Channel-10m Ω @ 15A, 10V1V @ 250μA1030pF @ 15V14nC @ 4.5V4.2ns±20V3.2 ns65A1V20V30V2.26mm6.7056mm6.22mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅200430V65A30V1 V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STL65N3LLH5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30 V PowerFLAT | 对比 |
 | STB70NF3LLT4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-Ch 30 Volt 70 Amp | 对比 |
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