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STL6N3LLH6备选型号: FDMA8884

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  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • HTS代码
  • 端子位置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • STMicroelectronics
    STL6N3LLH6
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-PowerWDFN
    6
    4.5V 10V
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    DeepGATE™, STripFET™ VI
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    STL6
    Single
    4.8 ns
    N-Channel
    25m Ω @ 3A, 10V
    1V @ 250μA (Min)
    283pF @ 24V
    3.6nC @ 4.5V
    11.2ns
    ±20V
    5.4 ns
    6A
    20V
    6A
    30V
    750μm
    2.1mm
    2.1mm
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDMA8884
    ON Semiconductor
    MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    16 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-VDFN Exposed Pad
    6
    6.5A Ta 8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    Single
    5 ns
    N-Channel
    23m Ω @ 6.5A, 10V
    3V @ 250μA
    450pF @ 15V
    7.5nC @ 10V
    1ns
    ±20V
    1 ns
    6.5A
    20V
    8A
    30V
    750μm
    2mm
    2mm
    无
    ROHS3 Compliant
    30mg
    SILICON
    2017
    e4
    yes
    6
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    8541.29.00.95
    DUAL
    增强型MOSFET
    1.9W
    DRAIN
    SWITCHING
    0.023Ohm
    28 pF
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