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STL8DN6LF6AG备选型号: FDD5680

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  • 终端形式
  • 额定电流
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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • STMicroelectronics
    STL8DN6LF6AG
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 60V 32A POWERFLAT
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerVDFN
    8
    32A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, STripFET™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    55W
    未说明
    未说明
    STL8
    2 N-Channel (Dual)
    27m Ω @ 9.6A, 10V
    2.5V @ 250μA
    60V
    32A
    1.34nF
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDD5680
    ON Semiconductor
    MOSFET N-Ch PowerTrench
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    3
    8.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    21m Ω @ 8.5A, 10V
    4V @ 250μA
    -
    8.5A
    -
    ROHS3 Compliant
    260.37mg
    SILICON
    e3
    yes
    2
    21mOhm
    Tin (Sn)
    60V
    鸥翼
    38A
    R-PSSO-G2
    Single
    增强型MOSFET
    60W
    DRAIN
    15 ns
    SWITCHING
    1835pF @ 30V
    46nC @ 10V
    9ns
    ±20V
    16 ns
    20V
    60V
    无
    无铅
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