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首页 全部分类 STP100N10F7 vs IPP057N08N3GXKSA1

STP100N10F7备选型号: IPP057N08N3GXKSA1

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 无卤素
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • STMicroelectronics
    STP100N10F7
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™ VII
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8MOhm
    STP100
    Single
    增强型MOSFET
    150W
    DRAIN
    27 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    8m Ω @ 40A, 10V
    4.5V @ 250μA
    4369pF @ 50V
    61nC @ 10V
    40ns
    ±20V
    16 ns
    80A
    4.5V
    TO-220AB
    20V
    100V
    400 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPP057N08N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    INFINEON - IPP057N08N3GXKSA1 - MOSFET, N CH, 80A, 80V, PG-TO220-3
    -
    13 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    80A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    OptiMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    150W
    -
    18 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.7m Ω @ 80A, 10V
    3.5V @ 90μA
    4750pF @ 40V
    69nC @ 10V
    66ns
    ±20V
    10 ns
    80A
    -
    TO-220AB
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2008
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    无卤素
    80V
    0.0057Ohm
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