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STP100N8F6备选型号: STP110N8F6

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  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
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  • 连续放电电流(ID)
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 晶体管元件材料
  • 终止次数
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • JEDEC-95代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • STMicroelectronics
    STP100N8F6
    STMicroelectronics
    N-Channel 80 V 0.009 Ohm Flange Mount STripFET F6 Power Mosfet - TO-220
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    100A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ F6
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STP100
    Single
    N-Channel
    9m Ω @ 50A, 10V
    4V @ 250μA
    5955pF @ 25V
    100nC @ 10V
    80V
    ±20V
    100A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STP110N8F6
    STMicroelectronics
    Single N-Channel 80 V 200 W 150 nC Silicon Through Hole Mosfet - TO-220-3
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    110A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    STripFET™ F6
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STP110
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    6.5m Ω @ 55A, 10V
    4.5V @ 250μA
    9130pF @ 40V
    150nC @ 10V
    80V
    ±20V
    110A
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    SILICON
    3
    SINGLE
    R-PSFM-T3
    增强型MOSFET
    DRAIN
    SWITCHING
    TO-220AB
    0.0065Ohm
    440A
    80V
    180 mJ
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