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首页 全部分类 STP11N52K3 vs FDP12N60NZ

STP11N52K3备选型号: FDP12N60NZ

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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 生命周期状态
  • 触点镀层
  • 质量
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • STMicroelectronics
    STP11N52K3
    STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 525V 0.41 Ohm 10A SuperMESH3 125w
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    10A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMESH3™
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    410mOhm
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    STP11N
    3
    Single
    增强型MOSFET
    125W
    7 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    510m Ω @ 5A, 10V
    4.5V @ 50μA
    1400pF @ 50V
    51nC @ 10V
    18ns
    ±30V
    42 ns
    10A
    3.75V
    TO-220AB
    30V
    525V
    40A
    170 mJ
    15.75mm
    10.4mm
    4.6mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP12N60NZ
    ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Chan MOSFET UniFET-II
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    240W Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    UniFET-II™
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    240W
    25 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    650m Ω @ 6A, 10V
    5V @ 250μA
    1676pF @ 25V
    34nC @ 10V
    50ns
    ±30V
    60 ns
    12A
    3V
    TO-220AB
    30V
    600V
    48A
    565 mJ
    16.51mm
    10.67mm
    4.83mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    8 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    Tin
    1.8g
    2010
    e3
    yes
    0.65Ohm
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