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首页 全部分类 STP165N10F4 vs FDP054N10

STP165N10F4备选型号: FDP054N10

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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
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  • 上升时间
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  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 质量
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 阈值电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • STMicroelectronics
    STP165N10F4
    STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 100V 120A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    20 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    DeepGATE™, STripFET™
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    5.5MOhm
    STP165
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    315W
    29.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 60A, 10V
    4V @ 250μA
    10500pF @ 25V
    180nC @ 10V
    62ns
    ±20V
    106 ns
    120A
    TO-220AB
    20V
    100V
    480A
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDP054N10
    ON Semiconductor
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP054N10 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 100 V, 0.0046 ohm, 10 V, 3.5 V
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    9 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-220-3
    SILICON
    120A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    PowerTrench®
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    263W
    44 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    5.5m Ω @ 75A, 10V
    4.5V @ 250μA
    13280pF @ 25V
    203nC @ 10V
    92ns
    ±20V
    39 ns
    120A
    TO-220AB
    20V
    -
    576A
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    3
    2.421g
    2004
    e3
    yes
    Tin (Sn)
    ULTRA-LOW RESISTANCE
    100V
    3.5V
    0.0055Ohm
    15.38mm
    10.1mm
    4.7mm
    无SVHC
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IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-220-3 Trans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3 Tab) TO-220 对比