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STP24N60M2备选型号: IPP60R165CPXKSA1
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 基本部件号
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 无卤素
- 最大双电源电压
MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 18A Mdmesh II PlusACTIVE (Last Updated: 8 months ago)16 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON18A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™ II Plus活跃1 (Unlimited)3EAR99190MOhmSTP24NSingle增强型MOSFET150WDRAIN14 nsN-ChannelSWITCHING190m Ω @ 9A, 10V4V @ 250μA1060pF @ 100V29nC @ 10V9ns±25V61 ns18ATO-220AB25V600V72A180 mJ15.75mm10.4mm4.6mm无ROHS3 Compliant无铅----------------
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220-8 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON21A Tc-55°C~150°C TJTubeCoolMOS™不用于新设计1 (Unlimited)2----增强型MOSFET192WDRAIN12 nsN-ChannelSWITCHING165m Ω @ 12A, 10V3.5V @ 790μA2000pF @ 100V52nC @ 10V5ns±20V-21A-20V--522 mJ----ROHS3 Compliant无铅2008e3yesTin (Sn)600VSINGLE鸥翼未说明21A未说明4R-PSSO-G2不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE无卤素600V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP26NM60N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 | 对比 |
| STP23NM50N | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 500V 17A TO-220 | 对比 |
| STP31N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 22A TO-220 | 对比 |
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