STP30N65M5备选型号: FCP165N60E
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 基本部件号
- 引脚数量
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 质量
- 无铅代码
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 元素配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin(3 Tab) TO-220 TubeACTIVE (Last Updated: 8 months ago)17 Weeks通孔通孔TO-220-33SILICON22A Tc150°C TJTubeMDmesh™ Ve3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)雪崩能源评级SINGLESTP30N3SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET140W50 nsN-ChannelSWITCHING139m Ω @ 11A, 10V5V @ 250μA2880pF @ 100V64nC @ 10V8ns±25V10 ns22A4VTO-220AB25V650V88A500 mJ15.75mm10.4mm4.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------------
- FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP165N60E MOSFET Transistor, N Channel, 23 A, 600 V, 0.132 ohm, 10 V, 3.5 VNewACTIVE (Last Updated: 2 days ago)12 Weeks通孔-TO-2203---Tube-e3活跃1 (Unlimited)-EAR99Tin (Sn)-----------------23A3.5V--------无SVHC-ROHS3 Compliant-1.8gyes150°C-55°C8541.29.00.95227W未说明未说明Single600V2.434nF132mOhm165 mΩ
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STP21N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 17A TO-220 | 对比 |
![]() | STP35N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 27A TO-220 | 对比 |
![]() | STP32N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-220-3 | Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | 对比 |



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