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STP35N65M5备选型号: STP42N65M5
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- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 电阻
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级（Eas）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- ECCN 代码
MOSFET N-CH 650V 27A TO-220通孔通孔TO-220-33SILICON27A Tc150°C TJTubeMDmesh™ Ve3Obsolete不适用398MOhmMatte Tin (Sn)STP35N3Single增强型MOSFET160WISOLATED60 nsN-ChannelSWITCHING98m Ω @ 13.5A, 10V5V @ 250μA3750pF @ 100V83nC @ 10V12ns±25V16 ns27A4VTO-220AB25V650V800 mJ15.75mm10.4mm4.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅---- MOSFET N-CH 650V 33A TO-220通孔通孔TO-220-33SILICON33A Tc150°C TJTubeMDmesh™ Ve3活跃1 (Unlimited)379mOhmTin (Sn)STP42N3Single增强型MOSFET190W-61 nsN-ChannelSWITCHING79m Ω @ 16.5A, 10V5V @ 250μA4650pF @ 100V100nC @ 10V24ns±25V13 ns33A4VTO-220AB25V650V950 mJ9.15mm10.4mm4.6mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)17 WeeksEAR99
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STP42N65M5 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 33A TO-220 | 对比 |
 | FCP125N60E | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP125N60E MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.102 ohm, 10 V, 3.5 VNew | 对比 |
| STP34NM60ND | STMicroelectronics | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-220-3 | MOSFET N-Ch 600V 0.097 Ohm 29A Fdmesh II FD | 对比 |
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