STQ1NC45R-AP备选型号: FQNL2N50BBU
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 操作模式
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 引脚数
- 已出版
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 元素配置
- 功率耗散
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 无铅
- MOSFET N-CH 450V 0.5A TO-928 Weeks通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)SILICON500mA Tc-65°C~150°C TJTape & Box (TB)SuperMESH™e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn)雪崩 额定SINGLE未说明not_compliant未说明STQ13R-PSIP-T3不合格SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETN-ChannelSWITCHING4.5 Ω @ 500mA, 10V3.7V @ 250μA160pF @ 25V7nC @ 10V450V±30V500mA0.5A2A450V25 mJROHS3 Compliant-----------
- MOSFET N-CH 500V 0.35A TO-92L-通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)-350mA Tc-55°C~150°C TJBulkQFET®--Obsolete1 (Unlimited)--------------N-Channel-5.3 Ω @ 175mA, 10V3.7V @ 250μA230pF @ 25V8nC @ 10V-±30V350mA----符合RoHS标准32014500V350mASingle1.5W25ns25 ns30V500V无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|



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