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首页 全部分类 STQ2HNK60ZR-AP vs STQ1NC45R-AP

STQ2HNK60ZR-AP备选型号: STQ1NC45R-AP

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  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
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  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • STMicroelectronics
    STQ2HNK60ZR-AP
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    8 Weeks
    Tin
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    3
    SILICON
    500mA Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    SuperMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    BOTTOM
    STQ2
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    10 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.8 Ω @ 1A, 10V
    4.5V @ 50μA
    280pF @ 25V
    15nC @ 10V
    30ns
    600V
    ±30V
    50 ns
    500mA
    30V
    0.5A
    2A
    600V
    120 mJ
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STQ1NC45R-AP
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 450V 0.5A TO-92
    -
    8 Weeks
    -
    通孔
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    -
    SILICON
    500mA Tc
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Box (TB)
    SuperMESH™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    STQ1
    3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    4.5 Ω @ 500mA, 10V
    3.7V @ 250μA
    160pF @ 25V
    7nC @ 10V
    -
    450V
    ±30V
    -
    500mA
    -
    0.5A
    2A
    450V
    25 mJ
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    yes
    Matte Tin (Sn)
    雪崩 额定
    未说明
    not_compliant
    未说明
    R-PSIP-T3
    不合格
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