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首页 全部分类 STS5DPF20L vs FDS9933BZ

STS5DPF20L备选型号: FDS9933BZ

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  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 质量
  • 已出版
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  • 元素配置
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  • STMicroelectronics
    STS5DPF20L
    STMicroelectronics
    MOSFET 2P-CH 20V 5A 8SOIC
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    STripFET™ II
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -20V
    1.6W
    鸥翼
    -5A
    STS5D
    8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    1.6W
    25 ns
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    55m Ω @ 2.5A, 10V
    2.5V @ 250μA
    1350pF @ 16V
    16nC @ 5V
    35ns
    35 ns
    5A
    16V
    5A
    0.075Ohm
    20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDS9933BZ
    ON Semiconductor
    MOSFET -20V 2.5V Dual P-Ch PowerTrench
    表面贴装
    表面贴装
    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
    8
    -
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    PowerTrench®
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    900mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    1.6W
    -
    2 P-Channel (Dual)
    -
    46m Ω @ 4.9A, 4.5V
    1.5V @ 250μA
    985pF @ 10V
    15nC @ 4.5V
    9.3ns
    9.3 ns
    4.9A
    12V
    -
    -
    20V
    -
    逻辑电平门
    -
    符合RoHS标准
    -
    230.4mg
    2008
    yes
    Dual
    20V
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