STU6N65M2备选型号: IPS65R1K0CEAKMA1
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 操作温度
- 包装
- 系列
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- ECCN 代码
- 电阻
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 晶体管元件材料
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- 端子表面处理
- Reach合规守则
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 无卤素
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 雪崩能量等级(Eas)
- 无铅
- STMICROELECTRONICS STU6N65M2 Power MOSFET, N Channel, 4 A, 650 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 VACTIVE (Last Updated: 8 months ago)26 Weeks通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA33.949996g4A Tc-55°C~150°C TJTubeMDmesh™活跃1 (Unlimited)EAR991.2Ohm未说明未说明STU6N19 nsN-Channel1.35 Ω @ 2A, 10V4V @ 250μA226pF @ 100V9.8nC @ 10V7ns±25V20 ns4A3V25V650V无SVHCROHS3 Compliant-----------------
- MOSFET N-CH 650V 4.3A TO-251-3-6 Weeks通孔通孔TO-251-3 Stub Leads, IPak3343.085929mg4.3A Tc-40°C~150°C TJTubeCoolMOS™ CEDiscontinued1 (Unlimited)--未说明未说明-6.6 nsN-Channel1 Ω @ 1.5A, 10V3.5V @ 200μA328pF @ 100V15.3nC @ 10V5.2ns±20V13.6 ns4.3A-20V650V-ROHS3 CompliantSILICON2008e3yes3Tin (Sn)not_compliant1Single增强型MOSFETDRAINSWITCHING无卤素650V1Ohm50 mJ含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | STU7N60M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | Trans MOSFET N-CH 600V 5A 3-Pin(3 Tab) IPAK Tube | 对比 |
![]() | STU7N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | STMICROELECTRONICS STU7N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.98 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |
![]() | STU9N65M2 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | STMICROELECTRONICS STU9N65M2 Power MOSFET, N Channel, 5 A, 650 V, 0.79 ohm, 10 V, 3 V | 对比 |





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