STU6NF10备选型号: IRFU120NPBF
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 系列
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 工厂交货时间
- 已出版
- 终端
- 电阻
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 资历状况
- 通道数量
- 阈值电压
- 双电源电压
- 恢复时间
- 最大结点温度(Tj)
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 无铅
- MOSFET N-CH 100V 6A IPAKACTIVE (Last Updated: 8 months ago)通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON6A Tc-65°C~175°C TJTubeSTripFET™e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - annealed260STU6N3Single增强型MOSFET30WDRAIN6 nsN-ChannelSWITCHING250m Ω @ 3A, 10V4V @ 250μA280pF @ 25V14nC @ 10V10ns±20V3 ns6A20V6A0.25Ohm100V24A200 mJ无ROHS3 Compliant--------------------
- MOSFET N-CH 100V 9.4A I-PAK-通孔通孔TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA3SILICON9.4A Tc-55°C~175°C TJTubeHEXFET®e3活跃1 (Unlimited)3EAR99Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier260--Single增强型MOSFET48WDRAIN4.5 nsN-ChannelSWITCHING210m Ω @ 5.6A, 10V4V @ 250μA330pF @ 25V25nC @ 10V23ns±20V-9.4A20V7.7A-100V---ROHS3 Compliant12 Weeks1998通孔210mOhm雪崩 额定100V9.4A30不合格14V100V150 ns175°C4 V9.75mm6.6mm2.3mm无SVHCContains Lead, Lead Free
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFU120ATU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET N-CH 100V 8.4A IPAK | 对比 | |
| FQU13N10LTU | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA | MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level | 对比 |




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