STW13NM50N备选型号: IPW60R280P6FKSA1

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  • 底架
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  • 端子表面处理
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  • JESD-30代码
  • 元素配置
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  • 功率耗散
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  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
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  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • STMicroelectronics
    Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    12A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    320mOhm
    MATTE TIN/TIN SILVER COPPER
    STW13N
    3
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    100W
    N-Channel
    SWITCHING
    320m Ω @ 6A, 10V
    4V @ 250μA
    960pF @ 50V
    30nC @ 10V
    15ns
    ±25V
    10 ns
    12A
    25V
    500V
    48A
    200 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 600V TO247-3
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    13.8A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ P6
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    104W
    N-Channel
    -
    280mOhm @ 5.2A, 10V
    4.5V @ 430μA
    1190pF @ 100V
    25.5nC @ 10V
    6ns
    ±20V
    -
    13.8A
    20V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    18 Weeks
    3
    PG-TO247-3
    38.000013g
    2008
    150°C
    -55°C
    1
    12 ns
    600V
    600V
    1.19nF
    252mOhm
    280 mΩ
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