STW18N65M5备选型号: IPW65R190C7XKSA1

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  • 安装类型
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 基本部件号
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  • 元素配置
  • 操作模式
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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
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  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 引脚数
  • 供应商器件包装
  • 已出版
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 接通延迟时间
  • 无卤素
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大双电源电压
  • 输入电容
  • 漏源电阻
  • 最大rds
  • STMicroelectronics
    MOSFET N CH 650V 15A TO-247
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    SILICON
    15A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ V
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    STW18N
    R-PSFM-T3
    Single
    增强型MOSFET
    110W
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    220m Ω @ 7.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1240pF @ 100V
    31nC @ 10V
    7ns
    ±25V
    9 ns
    15A
    25V
    0.22Ohm
    650V
    60A
    210 mJ
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 650V 13A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
    18 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    -
    13A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    CoolMOS™ C7
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    72W
    -
    N-Channel
    -
    190mOhm @ 5.7A, 10V
    4V @ 290μA
    1150pF @ 400V
    23nC @ 10V
    -
    ±20V
    9 ns
    13A
    20V
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    3
    PG-TO247-3
    2008
    150°C
    -55°C
    11 ns
    无卤素
    650V
    650V
    1.15nF
    404mOhm
    190 mΩ
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