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首页 全部分类 STW26NM60ND vs STW24N60DM2

STW26NM60ND备选型号: STW24N60DM2

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  • 场效应管类型
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  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
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  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • STMicroelectronics
    STW26NM60ND
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 21A TO247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    21A Tc
    150°C TJ
    Tube
    FDmesh™ II
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    STW26N
    1
    Single
    增强型MOSFET
    DRAIN
    22 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    175m Ω @ 10.5A, 10V
    5V @ 250μA
    1817pF @ 100V
    54.6nC @ 10V
    14.5ns
    ±25V
    27.5 ns
    21A
    25V
    600V
    84A
    20.15mm
    15.75mm
    5.15mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • STMicroelectronics
    STW24N60DM2
    STMicroelectronics
    MOSFET N-CH 600V 18A TO-247
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    38.000013g
    SILICON
    18A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    FDmesh™ II Plus
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    STW24N
    1
    Single
    增强型MOSFET
    -
    15 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    200m Ω @ 9A, 10V
    5V @ 250μA
    1055pF @ 100V
    29nC @ 10V
    8.7ns
    ±25V
    15 ns
    18A
    25V
    600V
    72A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
    17 Weeks
    未说明
    未说明
    0.2Ohm
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