STW30NM50N备选型号: FCH35N60

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  • 描述:
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 质量
  • 已出版
  • 无铅代码
  • 接通延迟时间
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    MOSFET N-Ch 500 Volt 27 Amp Power MDmesh
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    27A Tc
    150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ II
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    115mOhm
    Tin (Sn)
    未说明
    not_compliant
    未说明
    STW30N
    3
    不合格
    Single
    增强型MOSFET
    190W
    ISOLATED
    N-Channel
    SWITCHING
    115m Ω @ 13.5A, 10V
    4V @ 250μA
    2740pF @ 50V
    94nC @ 10V
    20ns
    ±25V
    60 ns
    13.5A
    3V
    TO-247AC
    25V
    27A
    500V
    108A
    900 mJ
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Channel SuperFET
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    SILICON
    35A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMOS™
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    Tin (Sn)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    312.5W
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    98m Ω @ 17.5A, 10V
    5V @ 250μA
    6640pF @ 25V
    181nC @ 10V
    120ns
    ±30V
    73 ns
    35A
    3V
    -
    30V
    -
    600V
    -
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    12 Weeks
    6.39g
    2013
    yes
    34 ns
    0.098Ohm
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
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