STW43N60DM2备选型号: FCH35N60

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  • ECCN 代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
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  • 基本部件号
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs(最大值)
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  • 阈值电压
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 已出版
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  • 元素配置
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  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间(典型值)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS STW43N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V
    ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
    17 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    34A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    MDmesh™ DM2
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    STW43N
    N-Channel
    93m Ω @ 17A, 10V
    5V @ 250μA
    2500pF @ 100V
    56nC @ 10V
    600V
    ±25V
    34A
    4V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MOSFET 600V N-Channel SuperFET
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-247-3
    3
    35A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Tube
    SuperMOS™
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    -
    -
    N-Channel
    98m Ω @ 17.5A, 10V
    5V @ 250μA
    6640pF @ 25V
    181nC @ 10V
    -
    ±30V
    35A
    3V
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    6.39g
    SILICON
    2013
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    Single
    增强型MOSFET
    312.5W
    34 ns
    SWITCHING
    120ns
    73 ns
    30V
    0.098Ohm
    600V
    20.82mm
    15.87mm
    4.82mm
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