SY58605UMG-TR备选型号: NB3N551MNR4G
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- JESD-609代码
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- 类型
- 端子表面处理
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- 电压 - 供电
- 端子位置
- 功能数量
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- 基本部件号
- 输出量
- 输出的数量
- 工作电源电压
- 电路数量
- 传播延迟
- 接通延迟时间
- 逻辑功能
- 最大输入电压
- 输入
- 比率-输入:输出
- 差分 - 输入:输出
- 电源电流-最大值(ICC)
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- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 电源电压-最大值(Vsup)
- 电源电压-最小值(Vsup)
- 最大电源电流
- 家人
- 无卤素
- 最大 I(ol)
- IC CLK BUFFER 1:1 3GHZ 8MLF8 Weeks表面贴装表面贴装8-VFDFN Exposed Pad, 8-MLF®8SY58605UMG-TR-40°C~85°CTape & Reel (TR)Precision Edge®2000e4活跃1 (Unlimited)8Buffer/DriverNickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)TR2.375V~2.625VDUAL12.5V0.5mm3GHzSY58605LVDS22.5V1420 ps420 psBuffer4.3VCML, LVDS, LVPECL1:1Yes/Yes50mA53 %850μm2mm2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅-------------
- Clock Fanout Buffer 4-OUT 1-IN 1:4 Automotive 8-Pin DFN EP T/R4 Weeks表面贴装表面贴装8-VFDFN Exposed Pad8--40°C~85°CTape & Reel (TR)-2011-活跃1 (Unlimited)8Fanout Buffer (Distribution)Nickel/Gold/Palladium (Ni/Au/Pd)-3V~5.5VDUAL13.3V0.5mm180MHzNB3N551LVCMOS, LVTTL43.3V16 ns6 ns--LVCMOS, LVTTL1:4No/No--950μm2mm2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)TinyesEAR992604083.6V3V40mA3N无卤素0.025 A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SY58603UMG-TR | Microchip Technology | 时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 | 8-VFDFN Exposed Pad, 8-MLF® | IC CLK BUFFER 1:1 3GHZ 8MLF | 对比 |
![]() | MC100EP11MNR4G | ON Semiconductor | 时钟/计时 - 时钟缓冲器,驱动器 | 8-VFDFN Exposed Pad | Clock Fanout Buffer 2-OUT 8-Pin DFN EP T/R | 对比 |




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